硅靶与硅铝合金靶的区别 [复制链接]

都没人发表意见啊？高手都去哪里了？

没人敢理你这只猛虎！你关心哪方面的区别？反应溅射的稳定性？还是生成物折射率的区别？

回复 2楼liumaoli的帖子

语焉不详，直接告诉你要干什么，给你直接的建议

回复 4楼SiO2的帖子

我现在用纯硅靶反应溅射氮氧化硅，硅靶贵啊，我想换成硅铝合金靶，不知道能不能镀出原来的颜色？合金靶含有铝啊。请您赐教。

回复 5楼liumaoli的帖子

赐教不敢当。
还是没告诉你要做什么。
在工业应用上，出于溅射速率和靶材制备的考虑，掺铝硅靶和掺硼硅靶被大量应用。光学和物理性能近似于与SiOx/SiNxOx，电学性能没太了解过，但是应该仍然很近似。硅铝靶很便宜，买一幅试一试。

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另外，你用来做颜色，既然光学性质接近，干涉颜色应该容易做到。

回复 7楼SiO2的帖子

多谢指教，实验时有问题再向您请教。

回复 7楼SiO2的帖子

硅铝合金靶是不是比纯硅靶便宜很多啊？

硅铝合金靶冒似对膜的结合性差一点

为什么啊？做化合物会不会有影响？

硅靶做氮氧化硅，刚开始挂具杆上产品颜色及其不均匀，但是做的时间长了，颜色均匀性变得很好，设备上没有改动，工艺变动很小，只是延长了镀膜时间，不知道怎么回事？望高手指点。。

这估计与设备环境有关，刚开始的时候你用的设备肯定是做过别的。参杂了其它的杂质。到后来试验环境慢慢稳定了，所以就镀膜镀得均匀了。

楼上说的很有道理，学习了。这个稳定时间很长，我们做了一个多月才大批量进行生产。

纯硅靶焊接在背板上时老是弯曲变形，1500的靶用了10块小硅靶，变形的靶装上后也容易开裂。不知道有没有别的好焊接工艺不让靶材变形。

回复 9楼liumaoli的帖子

屁话怎么可能会一样呢,

做出的东西肯定不一样，但是颜色，性能相近的膜层还是能做出来的，楼上理解有错误，应该把帖子看完整。

请问这个有谁知道这个SiAl靶和O2反应 的大概沉积速率啊，比如在同样的条件下和Ti的反应溅射的沉积速率对比？
另外Al含量高，是不是沉积速率越快啊？
有高手在么？

硅铝靶中铝的含量一般只有5%-10%，硅的溅射速率很低，所以总的来说，还是钛靶的溅射反应速率高一些

回复 19楼liumaoli的帖子

恰恰相反，如果是反应溅射，Ti的速率低得多，0.5~0.6, 相比较SiAl

你 是 做什么的？  用纯 Si 靶？

回复 20楼SiO2的帖子

我做二氧化硅比二氧化钛反应速率慢好多的。是不是设备不一样造成的？

回复 22楼liumaoli的帖子

原因有二：
1。反应溅射沉积SIo2 ，一般工作在过氧区（或称中毒区），速度非常慢，但很稳定
2。如果想提高速度需要工作在过渡区，需要反应气体璧还控制。但随着功率密度的加大，打火加剧造成不稳定，这需要良好的阴极设计。

所以，在良好的气体闭环控制和阴极水平条件下，SiO2和TiO2 的沉积速率可分别达到60~80nm/m/min和30~40nm/m/min

回复 23楼SiO2的帖子

我用中频电源溅射反应二氧化钛速率和你说的差不多，但是二氧化硅速率只有你的十分之一，我的氧气充的很少，只有氩气的十分之一，不可能靶中毒。

有没有预溅射？？？
不然怎么会差别那么大？

有啊，每次镀前都洗靶10分钟呢。

回复 26楼liumaoli的帖子

纯Si的溅射率和Ti靶的溅射率相当。如果以Ag为1.0作为参照的话，二者大概是0.2不到。掺杂Si靶速率要比Ti的快的多。这当然是针对直流溅射。反应溅射复杂一些。
速度慢的原因可能是：
1。掺杂得不好
2。硅板表面钝化曾太厚，预清洗没什么效果，应采用喷沙处理
3。过程中表面中毒

而硅靶开裂，原因可能是：
1。和焊接有关
2。功率密度太大，冷却无效
3。阴极设计丑陋，靶面打火太多，造成表面温升太快。
4。电源的抑弧功能丑陋

楼上都把原因列出来了，可以一一排查。

我用的是中频电源，可能是导致反应速率慢的重要原因
！！

有可能，嘿嘿