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反射高能电子衍射RHEED [复制链接]

xiaogou
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t T
发表于 2009-03-04 09:47 |只看楼主
        RHEED是相对于LEED低能电子衍射而言，RHEED 使用的电子枪电子能量为(5-20keV) 并且以很小的冲击角度(<5度) 照射晶体表面。在这种条件下，入射电子束仅仅与晶体表面相互作用，经过晶体表面衍射，在荧光屏CCD上形成衍射花样，它反映了晶体表面的结构和周期性等特征，这些特征一般不同于晶体体内。     1.如果晶体表面平整，即2-dimensional生长模式，衍射斑的形状是沿晶体表面的垂直方向拉长，即线性条纹。     2.如果晶体表面不平整，即3-dimensional生长模式，电子束就会透过这些高低起伏的部分，形成透射衍射，反映晶体体内的结构，大多为点状结构。         RHEED 经常被使用为监视晶体成长, 因为它不阻拦方向垂直于衬底的表面, 易于被观察。 它对表面的平整度是非常敏感的，而且不破坏样品。
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殘餘人生
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t T
发表于 2009-12-18 04:22 |只看该用户

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liugw123450
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t T
发表于 2010-05-21 11:39 |只看该用户

学习了，我们销售的的PLD能能加RHEED.但要用差分泵。 LHEED能用于检测吗，效果怎么样，什么地方必须用RHEED?
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