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薄膜基底单晶硅的峰，只有一个峰311，能不能做标准硅峰 [复制链接]

fangfang
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t T
发表于 2009-12-04 22:31 |只看楼主
薄膜经过800度高温化学气相沉积在单晶硅上制得，打掠入射时出现硅的一个峰，标定为311，请问这样的一个峰能不能用来作为标准硅峰，来校正样品的峰位
最后编辑fangfang 最后编辑于 2009-12-04 22:35:09
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fangfang
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t T
发表于 2009-12-06 11:02 |只看楼主

有人知道吗？
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yjyang07
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t T
发表于 2009-12-07 14:18 |只看该用户

应该可以的 只要衍射峰比较强
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qhs26
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t T
发表于 2009-12-16 21:23 |只看该用户

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