反溅工艺
反溅工艺
Technology 2009-08-10 21:30 阅读25 评论0
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溅射刻蚀（反溅）是预清理步骤，这里溅射过程被颠倒，氩原子被用于清除那些污染接触和通孔的自然氧化薄层以及遗留刻蚀剩余物。换句话说，硅片被溅射而不是靶被溅射。溅射刻蚀预清理在多腔集成设备中是很重要的，因为它具有清理硅片后无需从真空环境中移出就能淀积得优点。
反溅工艺的目的是除去园片表面的一层自然氧化层，等离子气氛下可不断剥落表面杂质离子、油污、颗粒，改善溅射前园片表面状态，属射频溅射。其主要工艺参数：反溅量、反溅均匀性。反溅量大小可通过调整工艺时间来实现。目前反溅工艺主要用在双AL结构产品和WSI溅射中；反溅量偏大偏小均会影响AL1与AL2之间接触，以及最终产品参数。
其方法为：在真空设备中，引入惰性气体（如氩气），使真空度保持在0.1~1Pa范围，在正负极加上800-1500V的电压，此时便在真空设备内产生直流辉光放电作用并产生离子，受到电场加速的离子轰击基片表面，能使整个基片表面去掉几个原子层的薄层，从而使基片表面出现新鲜的、洁净的表面层。对于金属的基片可以将其作为阴极而直接依靠加速的正离子来轰击基片。对于玻璃和陶瓷，由于他们不能导电，所以无法放在阴极上利用正离子直接轰击，而只能将他们放在放电空间中尽量靠近辉光柱的地方接受离子和电子的轰击清洗。为了避免表面的损伤，应尽量施加几百伏的加速电压以密度为10~100微安/立方厘米的离子流来轰击试片表面。轰击时间和磨蹭的附着强度的关系：尽管轰击的时间很短，但附着强度也会增大。
