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晶控可否用于磁控溅射

晶控可否用于磁控溅射

目前磁控溅射都是用什么作为膜厚监控的呢?晶控可否用于磁控溅射?如果用晶控作为磁控溅射中的膜厚监控,那么,将探头置于基片的位置,势必处在强磁、高温(相对)、等离子体包围的环境中,其还能否正常工作?产生的数据又会是准确的吗?希望对这方面了解的朋友给个解答,同时希望大家踊跃讨论一下这个话题。

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可以用于,毕竟在稳定的工艺条件下,膜厚与时间是线性关系,晶控是可以进行膜厚监控的。测量的数据及位置要看你的磁控溅射的电源模式,直流,射频?晶控是与电极隔开的。
另外,磁控溅射中的强磁只是在靶材附近,其他地方基本上不受影响;所谓的高温或者等离子体环境,还是与电源的电极有关,只要晶控电性与两级隔绝,一般影响不大!
PVD+CVD

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