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晶控可否用于磁控溅射 [复制链接]

hanjx123
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寒江雪

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t T
发表于 2010-03-10 02:24 |只看楼主
目前磁控溅射都是用什么作为膜厚监控的呢？晶控可否用于磁控溅射？如果用晶控作为磁控溅射中的膜厚监控，那么，将探头置于基片的位置，势必处在强磁、高温（相对）、等离子体包围的环境中，其还能否正常工作？产生的数据又会是准确的吗？希望对这方面了解的朋友给个解答，同时希望大家踊跃讨论一下这个话题。
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jackiemwd
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t T
发表于 2010-03-10 08:23 |只看该用户

可以用于，毕竟在稳定的工艺条件下，膜厚与时间是线性关系，晶控是可以进行膜厚监控的。测量的数据及位置要看你的磁控溅射的电源模式，直流，射频？晶控是与电极隔开的。 另外，磁控溅射中的强磁只是在靶材附近，其他地方基本上不受影响；所谓的高温或者等离子体环境，还是与电源的电极有关，只要晶控电性与两级隔绝，一般影响不大！
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殘餘人生
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t T
发表于 2010-03-12 14:54 |只看该用户

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