ALD将替换CVD淀积技术，成为主流
根据网站SBN报道,，日前美商半导体淀积设备供应商Genus运行官WilliamElder指出，随着半导体厂商使用原子层淀积（ALD）设备导入0.13微米芯片工艺，再加上业界预计，将在导入90纳米工艺及65纳米工艺时，大规模采取ALD设备科技。市场调查机构VLSI分析师表示，ALD设备将逐渐替换化学气相淀积（CVD）淀积技术，成为业界主流。
VLSI最新报告指出，虽然当前ALD淀积设备仅达一亿美元市场规模，但其涨势不容小觑，三年内全球ALD设备市场增长率将超过66％。预计2008年时全球ALD设备市场可望达到13.5亿美元，而同期CVD设备市场增长率不到20％，虽然CVD设备当前仍占市场主流,，但此消彼长，预计到2008年为止，ALD设备至少可望取得全球淀积设备市场约20％市场占有率。
, Elder指出，此前ALD设备进入商业用途的障碍（包括成本过高及开出产量较慢等因素）已被克服。事实上，ALD设备已从过去研发阶段进入0.13微米工艺生产阶段，当前已有越来越多的厂商接受ALD设备科技，随着半导体生产日渐走向90纳米工艺以下先进工艺后，ALD的接受度将大为提高。
Elder进一步指出，虽然先前英特尔（Intel）宣称，将在45纳米工艺时才计划布建ALD设备，但以当前ALD设备已被使用在DRAM电容器的经验看来，许多半导体厂商可能提早在65纳米工艺时,，便宣布使用ALD淀积设备。
据统计，在2000年半导体高峰期时，全球薄膜淀积设备市场规模高达110亿美元，以当前ALD设备市场所蓄积之丰沛增长潜力，许多半导体设备供应商如美商应用材料（AppliedMaterials）、荷商ASML等大厂，已陆续投入ALD淀积设备的研发与销售。
擅长领域ALD,PLD,CVD设备研发与沉积工艺探索，陶瓷烧结，靶材制备，热电材料，铁电材料。
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